Halbleiterausrüstung - Keramik-Vakuumspannplatte
Keramische Vakuumspannplatten sind eine spezielle Art von Vakuumtellern aus porösem Keramikmaterial, die sich durch hohe Porosität, hohe Festigkeit und hervorragende Oberflächenebenheit auszeichnen. Sie werden häufig in Halbleiter-Wafer-Prozessen wie Schneiden, Schleifen, Polieren und Inspektion verwendet.
Produktmerkmale
- Hohe Präzision
- Ausgezeichnete Luftdichtheit
- Gleichmäßige Saugkraft
- verschleißfest und korrosionsbeständig
▲ Die Ebenheit der Oberfläche kann 0,002 mm erreichen; die Parallelität kann 0,003 mm erreichen
表格
| Material | Porengröße (μm) | Porosität | Druckdifferenz (bar) | Widerstandsfähigkeit | Farbe |
|---|---|---|---|---|---|
| Aluminium-Oxid | 5-50 | 15-45% | 35 | 1×10¹¹ Ω-cm | Dunkelgrau / Erdgelb |
| Siliziumkarbid | 10-50 | 15-45% | 30 | 1×10⁸ Ω-cm | Schwarz |
Produktmerkmale - Keramik-Roboterarme für Halbleiteranlagen
Wafer-Handling-Finger
Mechanische Keramikarme, auch bekannt als keramische Roboterfinger, Waferträger oder keramische Handhabungsarme, werden hauptsächlich in Halbleiteranlagen für den Transport und die Übergabe von Wafern verwendet. Sie fungieren als "Hände" von Robotern in Halbleiteranlagen und sind für die präzise Bewegung kreisförmiger Siliziumwafer an bestimmte Positionen verantwortlich.
Produktmerkmale
- Hohe Produktpräzision
- Ausgezeichnete Luftdichtheit
- Gute Hochtemperaturbeständigkeit
- Kontrollierbarer Oberflächenwiderstand
- Hohe Beständigkeit gegen Säuren, Laugen und Korrosion, geeignet für extrem raue Umgebungen
▲ Selbstabdichtungstest: Schalten Sie die Vakuumluftquelle aus; halten Sie einen Unterdruck von -85 kPa bis -80 kPa für mehr als 60 Sekunden aufrecht.
▲ Adsorptionstest für Wafer: Schalten Sie die Vakuumluftquelle aus; halten Sie einen Unterdruck von -80 kPa bis -25 kPa für mehr als 35 Sekunden aufrecht.
- Hochdimensionale Präzision: Sorgt für eine genaue Handhabung und Positionierung der Wafer, die für fortschrittliche Halbleiterprozesse entscheidend sind.
- Außergewöhnliche Luftdichtheit: Sorgt für stabile Vakuumbedingungen während des Wafertransfers und minimiert das Kontaminationsrisiko.
- Hervorragende Beständigkeit gegen Hochtemperaturen: Geeignet für Prozessumgebungen mit hohen Temperaturen ohne Verformung oder Leistungseinbußen.
- Kontrollierbarer Oberflächenwiderstand: Der spezifische Widerstand ermöglicht eine elektrostatische Kontrolle und verhindert die Ansammlung von Ladungen zum Schutz empfindlicher Wafer.
- Hervorragende chemische Beständigkeit: Hochgradig resistent gegen starke Säuren, Laugen und korrosive Prozessgase - ideal für raue Umgebungen bei der Halbleiterherstellung.
Leistungsvalidierungstests
▲ Selbstversiegelungstest: Wenn die Vakuumquelle ausgeschaltet ist, hält der Arm einen Unterdruck von -85 kPa bis -80 kPa für mehr als 60 Sekunden.
▲ Wafer-Halte-Test: Bei ausgeschalteter Vakuumquelle hält es einen Unterdruck von -80 kPa bis -25 kPa für mehr als 35 Sekundenund sorgt für einen zuverlässigen Halt der Wafer.
Wichtige Leistungsdaten
| Parameter | Einheit | Siliziumkarbid (SiC) | Aluminiumoxid (Al₂O₃) |
|---|---|---|---|
| Widerstandsfähigkeit der Oberfläche | Ω | 1 × 10⁵ | 1 × 10¹⁴ |
| Max. Betriebstemperatur (geteilter Arm) | °C | 350 | 350 |
| Max. Betriebstemperatur (integrierter Arm) | °C | 800 | 800 |
| Adsorption Oberflächenrauhigkeit (Ra) | μm | 0.01 | 0.01 |
| Adsorption Ebenheit der Oberfläche | mm | 0.01 | 0.01 |
Hinweis: Alle Werte geben die typische Leistung unter Standard-Reinraum- und Prozessbedingungen wieder.
English 
German 
Korean 
