세라믹 소재 성능 파라미터 표

가장 적합한 세라믹 소재 솔루션을 선택하는 데 도움이 되는 상세한 기술 파라미터 비교.

XY Ceramic Property

夏阳先进陶瓷材料性能表

Type(类型) 단위 Alumina(氧化铝) Zirconia(氧化锆) Silicon Carbide(碳化硅) Silicon Nitride(氮化硅) Aluminum Nitride(氮化铝)
XY Grade(编号) 단위 A-100 A-200 A-300 AZ-100 Z-100 Z-200 Z-300 ZM-100 ZB-100 SC-200 SN-200 SN-300 SN-1000 ALN
Material(材料) / (Al2O3) 97% (Al2O3) 99.3% (Al2O3) 99.7% (Al2O3)-ZrO2 ZrO2-Y2O3 ZrO2-Y2O3 ZrO2-Y2O3 ZrO2-MgO ZrO2-Y2O3 (SiC) (Si3N4) (Si3N4) (Si3N4) AlN
Colour(颜色) / 아이보리 white white white white white white yellow blue black gray, black gray, black yellow white, gray
Density(密度) g/cm³ 3.75 3.9 3.92 4.25 6 6.03 6.04 5.62 6.03 3.14 3.2 3.2 3.2 3.3
Flexural Strength(抗弯强度) MPa 280 320 370 600 700 850 1000 600 1000 400 680 850 750 320
Compressive Strength(抗压强度) MPa 2250 2300 2450 2700 2100 2200 2300 1600 2300 2000 3000 3000 3000 /
Modules of Elasticity(young)(弹性模量) GPa 330 370 380 350 200 210 220 210 220 430 290 300 300 220
Fracture Toughness(断裂韧性) MPa·m¹/² 3 4 4.5 5.5 7 7.5 7.5 5.5 7 3 6 7 7.5 /
Poisson's Ratio(泊松系数) / 0.23 0.22 0.22 0.24 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.16 0.28 0.28 0.28 /
Hardness HRA(洛氏硬度) HRA 88 89 89.5 91 89 90 90 88 90 93 91.5 92 92 /
Vickers Hardness(维氏硬度) HV1 1300 1400 1450 1600 1250 1450 1450 1200 1450 2100 1500 1600 1650 1200
Thermal Expansion Coefficient(热膨胀系数) 10⁻⁶K⁻¹ 7.5 8 8 9.2 11 10 10 10 10 4.5 3.2 3.2 3.2 4.5
Thermal Conductivity(导热系数) W/m-K 20 28 32 8 3 3 3 3 3 130 26 40 70 180
Thermal Shock Resistance(热震稳定性) △T·℃ 200 220 220 470 400 400 400 / 400 400 600 800 800 /
Maximum Use Temperature(最高使用温度) in Oxidizing Atmosphere 1200 1400 1600 1000 1000 1000 1000 850 1000 1200 1000 1300 1300 1300
Maximum Use Temperature(最高使用温度) in Reducing or Inert Atmosphere 1200 1400 1600 1000 1000 1000 1000 850 1000 1600 1200 1400 1400 2200
Volume Resistivity at 20℃(20℃体积电阻) Ω-cm 10¹⁴ 10¹⁵ 10¹⁵ 10¹⁴ 10¹³ 10¹² 10¹² 5×10¹³ 10¹² 10⁵ 10¹⁴ 10¹⁴ 10¹⁴ 10¹⁴
Dielectric Strength(介电强度) kV/mm 16 20 22 16.5 19 15 17 19 17 0 10 12 16 14
Dielectric Constant(1MHz)(介电常数) 10 10 10 14 28 30 30 27 30 / 12 11 10 8
Dielectric Loss Angle at 20℃, 1MHz(20℃,兆赫介质损耗角) tanδ 3×10⁻⁴ 9×10⁻⁴ 99.7% 2×10⁻² (1GHz) 2×10⁻³ 2×10⁻³ 2×10⁻³ 2×10⁻³ (1GHz) 2×10⁻³ / 4×10⁻³ (1GHz) 5×10⁻³ (1GHz) 3×10⁻³ (1GHz) 1×10⁻⁴
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